Pengenalan PVD lapisan pengetahuan

Pengenalan PVD lapisan pengetahuan

IKS PVD, iks.pvd@foxmail.com

PVD (pengendapan uap fisik): proses mentransfer atom atau molekul dari sumber ke permukaan substrat dengan menggunakan proses fisik. Perannya adalah untuk membuat beberapa properti khusus (kekuatan tinggi, ketahanan aus, disipasi panas, ketahanan korosi, dll) dari partikel-partikel yang disemprot pada matriks dengan kinerja yang lebih rendah, sehingga matriks memiliki kinerja yang lebih baik. Metode dasar dari PVD: penguapan vakum, tergagap-gagap, ion plating (berongga katoda ion plating, katoda panas ion plating, arc ion plating, reaktif ion plating, rf ion plating, dc debit ion plating)

Teknologi PVD muncul dalam penyusunan film tipis dengan kekerasan tinggi, Koefisien gesekan rendah, baik memakai perlawanan dan kimia stabilitas dan keuntungan lain. Pada awalnya, aplikasi sukses di bidang alat baja berkecepatan tinggi telah menarik perhatian besar dari industri manufaktur seluruh dunia. Sementara mengembangkan kinerja tinggi dan kehandalan tinggi lapisan peralatan, orang juga telah melakukan lebih mendalam penelitian pada lapisan aplikasi di semen carbide dan alat-alat keramik. Dibandingkan dengan proses CVD, PVD proses suhu lebih rendah, di bawah 600℃ketika kekuatan membungkuk pemotongan alat bahan; Keadaan internal stres film adalah stres kompresi, yang lebih cocok untuk lapisan semen carbide presisi dan alat-alat kompleks. PVD proses tidak memiliki adverse dampak terhadap lingkungan, sesuai dengan arah pengembangan pembuatan hijau yang modern. Saat ini, teknologi pelapisan PVD telah banyak digunakan dalam pengobatan pelapisan carbide ebdmill, drill bit, bor langkah, minyak lubang bor, alat untuk membesarkan lubang, keran, pemotong penggilingan indexable, balik pisau, pemotong berbentuk khusus, Las pemotong dan seterusnya.

Teknologi PVD tidak hanya meningkatkan kekuatan ikatan antara film tipis dan material matriks alat, tetapi juga mengembangkan lapisan komposisi dari generasi pertama TiN TiC, TiCN, ZrN, CrN, MoS2, TiAlN, TiAlCN, timah-aln, CNx, DLC dan ta-c, dll [2]

Peningkatan magnetis dikontrol katoda busur: katoda busur teknologi adalah untuk melengkapi pengendapan film tipis material di bawah kondisi vakum oleh disintegrasi target ke negara ion melalui tegangan rendah dan tinggi saat ini. Peningkatan magnetron katoda busur secara efektif dapat mengontrol busur pada permukaan target materi dengan menggunakan interaksi medan elektromagnetik, sehingga tingkat ionisasi bahan lebih tinggi dan kinerja film lebih baik.

Disaring katodik busur: disaring katodik arc (FCA) sistem penyaringan elektromagnetik, dilengkapi dengan sumber ion efisien tinggi dapat diproduksi oleh makroskopik partikel dalam plasma dan ion massa filter bersih, setelah penyaringan sedimen partikel magnetik tingkat ionisasi adalah 100%, dan dapat menyaring partikel lebih besar, sehingga persiapan film sangat kompak dan halus, dengan ketahanan korosi yang baik, dan kekuatan adhesi tubuh sangat kuat.

Tergagap-gagap magnetron: dalam lingkungan vakum, target dibombardir oleh terionisasi gas inert ion melalui tindakan gabungan tegangan dan Medan magnet, mengakibatkan target yang dikeluarkan dalam bentuk ion, Atom atau molekul dan diendapkan pada substrat untuk membentuk sebuah film. Tergantung pada sumber ionisasi digunakan, konduktor dan bahan-bahan non-konduktor dapat tergagap sebagai bahan binaan.

Sinar ion DLC: gas hidrokarbon terionisasi ke plasma dalam sumber ion. Di bawah tindakan gabungan bidang elektromagnetik, ion karbon dilepaskan dari sumber ion. Energi sinar ion dikendalikan dengan menyesuaikan tegangan yang dikenakan untuk plasma. Sinar ion hidrokarbon diarahkan untuk substrat dan tingkat endapan sebanding dengan arus kerapatan ion. Sumber berkas ion lapisan bintang busur adalah tegangan tinggi, sehingga tenaga ion lebih besar, yang membuat film dan substrat memiliki adhesi yang baik. Ion yang lebih besar saat ini membuat kecepatan pengendapan DLC film lebih cepat. Keuntungan utama dari teknologi sinar ion adalah bahwa itu bisa deposit ultra-tipis dan struktur Multi-lapisan, presisi kontrol proses dapat mencapai beberapa Angstrom, dan cacat yang disebabkan oleh polusi partikel dalam proses dapat diminimalkan.