Pengaruh Faktor Untuk Sputtering Tingkat Deposisi Target Magnetron

Tingkat deposisi sputtering adalah parameter yang mencirikan tingkat deposisi. Tingkat pengendapan ditentukan oleh jenis dan tekanan gas kerja, spesies target, area etsa sputter, suhu permukaan target dan intensitas medan magnet permukaan target, jarak antara target dan substrat. Selain itu, juga dipengaruhi secara langsung oleh kepadatan daya dari permukaan target, yaitu "tegangan dan arus sputter dari catu daya target.

1. Sputtering Tegangan dan Tingkat Deposisi

Semakin kuat dan padat plasma antara daerah kontrol medan magnet depan dari target magnetron, semakin tinggi tingkat detasemen atom pada target. Di antara faktor-faktor yang mempengaruhi koefisien sputtering, setelah target, gas sputtering dan faktor-faktor lain ditetapkan, itu adalah tegangan discharge dari target magnetron yang lebih efektif. Secara umum, dalam proses normal magnetron sputtering, semakin tinggi tegangan discharge, semakin besar koefisien sputtering dari target magnetron; yaitu, energi ion insiden yang lebih besar, koefisien sputtering yang lebih besar. Dalam rentang energi yang diperlukan untuk deposisi sputter, efeknya moderat dan bertahap.

2. Sputtering Current dan Tingkat Deposisi

Arus sputtering magnetron target sebanding dengan arus ion permukaan target, sehingga dampak pada tingkat deposisi jauh lebih besar daripada tegangan. Ada dua cara untuk meningkatkan arus sputtering: satu adalah untuk meningkatkan tegangan operasi, yang lain adalah dengan tepat meningkatkan tekanan gas kerja. Tingkat deposisi sesuai dengan nilai tekanan optimum. Di bawah tekanan gas ini, tingkat pengendapan relatif adalah yang tertinggi. Fenomena ini adalah aturan umum dari magnetron sputtering. Tanpa mempengaruhi kualitas film atau memenuhi persyaratan pengguna, adalah tepat untuk mempertimbangkan nilai optimum dari tekanan gas berdasarkan hasil sputtering.

3. Sputtering Daya dan Tingkat Deposisi

Secara umum, ketika kekuatan sputtering dari target magnetron meningkat, tingkat deposisi film juga meningkat. Ada prasyarat bahwa tegangan sputtering diterapkan ke target magnetron cukup tinggi sehingga energi yang diperoleh oleh ion gas kerja di medan listrik antara katoda dan anoda cukup untuk melebihi "ambang energi sputtering" dari target. Kadang-kadang, target magnetron memiliki tegangan sputtering yang sangat rendah (misalnya, lebih dari 200 volt), tetapi arus sputtering relatif tinggi. Meskipun daya sputtering rata-rata tidak rendah, sputtering ion target tidak dapat dikaburkan dan disimpan ke sebuah film. Merekam data tegangan sputtering dan sputter dari target magnetron tidak hanya membantu kita mengetahui "daya sputtering" dari target magnetron, tetapi juga dapat membantu kita memahami tingkat energi ion target pemboman dan dengan tepat memperkirakan status pengendapan dari ion target. Ini akan membantu untuk menganalisis masalah dan fenomena dalam banyak proses pelapisan vakum.